申報條件

  1. 6-8 英寸 4H-SiC 襯底產業化關鍵技術研究

  2. 高良率 SiC 外延穩定制造技術以及其在大功率器件 的研發和應用

  3. Si 襯底上 GaN 基功率器件的關鍵技術研究及應用

  4. 新型高頻低損耗體聲波濾波器關鍵材料與器件研發及應用

  5. 專題五:硅基 AlGaN 垂直結構近紫外大功率 LED 外延與芯片 研究及應用

  專題六:功率半導體器件封裝材料和模組應用研究及產業化

  補助詳情

  1. 5000 萬元,擬支持 2個項

  2. 5000 萬元,擬支持 2 個項

  3. 3000 萬元,擬支持 4 個項

  4. 3000 萬元,擬支持 2 個項

  5. 3000 萬元,擬支持 2 個項

  3000 萬元,擬支持 2 個項


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